/nginx/o/2008/03/17/26864t1h533f.jpg)
Intel, Samsung и Toshiba объединяют усилия для разработки технологий по производству 10-нм микросхем. В результате слияния в 2016 году появятся 10-нм микрочипы.
Intel, Samsung и Toshiba объединяют усилия для разработки технологий по производству 10-нм микросхем. В результате слияния в 2016 году появятся 10-нм микрочипы.
В перспективе к альянсу присоединятся еще десять компаний из полупроводниковой отрасли. На стартовом этапе в проект предполагается вложить около $122 млн, пишет hi-tech.tochka.net.
Половину суммы, возможно, предоставит Министерство экономики, торговли и промышленности Японии (METI). Остальная половина будет разделена между членами альянса.
Производство микросхем по технологиям с нормами 10-нм планируется начать в 2016 году. Несомненно, такое объединение принесет выгоду всем участникам концорциума. Toshiba и Samsung смогут использовать этот техпроцесс при изготовлении чипов флеш-памяти NAND, а Intel начнет производство высокопроизводительных процессоров.